宽禁带半导体（SiC、GaN、Ga₂O₃、AlN等）常用镀膜材料按功能分类：
外延生长层
GaN（氮化镓）— MOCVD或MBE生长，功率/射频器件核心AlGaN（铝镓氮）— 与GaN形成异质结，HEMT器件关键InAlN（铟铝氮）— 晶格匹配GaN，高电子迁移率AlN（氮化铝）— 缓冲层或超宽禁带（~6.2 eV）器件Ga₂O₃（氧化镓）— 外延层（MBE、HVPE、MOCVD），超宽禁带新秀β-Ga₂O₃— 热力学稳定相，功率器件主流栅极介质与高k层
Al₂O₃（氧化铝）— MOS结构常用，ALD沉积，界面质量好HfO₂（氧化铪）— 高k介质，降低栅漏电流SiO₂/SiNₓ— 传统钝化，PECVD沉积Ga₂O₃— 自身氧化形成栅氧（Ga₂O₃ MOSFET）AlN/SiNₓ— 复合栅介质欧姆接触与金属电极
Ti/Al/Ti/Au— GaN HEMT经典欧姆接触（退火形成TiN）Ni/Au— 肖特基栅极或p-GaN接触Ti/Al/Mo/Au— 高温稳定性更好WSiN/WSi— 难熔硅化物，高温应用TiC— 碳化钛，SiC器件接触Ni— SiC欧姆接触（退火形成NiSi）钝化与保护层
SiNₓ（氮化硅）— PECVD沉积，表面态钝化，GaN器件必备AlN— 原位钝化，抑制电流崩塌Al₂O₃— ALD钝化，界面陷阱密度低散热与封装材料
AlN（氮化铝）陶瓷 — 热导率~285 W/m·K，绝缘散热基板Diamond（金刚石）— 热导率>1000 W/m·K，终极散热方案Cu/Mo/Cu— 热膨胀匹配封装Ag烧结层— 芯片贴装，高热导连接光学涂层（LED/光电器件）
ITO— 透明导电层，蓝光/UV LED电流扩展AZO/GZO— 低成本ITO替代DBR（分布式布拉格反射镜）— AlN/AlGaN或SiO₂/TiO₂多层膜关键工艺说明
GaN-on-SiC/GaN-on-Si/GaN-on-sapphire 都需AlN成核层SiC器件常需牺牲氧化+退火形成高质量SiO₂栅氧Ga₂O₃目前多用MBE或HVPE外延，MOCVD仍在发展中配配查提示：文章来自网络，不代表本站观点。
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